Первые системные платы с поддержкой DDR3

Обновление 09.06.2007

Системные платы на основе набора системной логики Intel P35 Express, входящего в семейство Bearlake, станут первыми решениями, поддерживающими модули оперативной памяти стандарта DDR3. Сроки их появления в массовой продаже не совсем ясны, прежде всего, по причине все еще сохраняющегося прохладного отношения производителей к новому стандарту памяти. Однако это отнюдь не означает, что корпорация Intel не готовится к возможному старту производства DDR3-системых плат. На днях, на известном частыми эксклюзивными материалами чилийском сайте Chilihardware, появились фотографии инженерных образцов системных плат на основе чипсета Intel P35 Express с поддержкой оперативной памяти стандарта DDR3.

Напомним, что согласно заявлениям Intel, чипсет P35 сможет корректно работать как с DDR2, так и с DDR3-модуями, но не с обоими вариантами одновременно. Попавшие в интернет фотографии запечатлели системные платы, оснащенные слотами памяти под DDR3-модули, работающие на частоте 800 МГц и 1066 МГц. Представленные системные платы оснащены процессорным разъемом LGA775 и предназначены для использования с процессорами Intel Core 2 Duo, Core 2 Quad и Celeron 4xx, поддерживающими системную шину с частотой до 1333 МГц. Процессоры Pentium 4, Pentium D и Celeron D, также устанавливаемые в разъем LGA775, не упоминаются.

Ожидается, что Intel, по сложившейся традиции, начнет массовое производство наборов системной логики семейства Bearlake, состоящего из шести представителей: G33, G35 Express, Q33, Q35 Express, P35 Express и X38 Express летом текущего года во время сезона подготовки к новому учебному году (back-to-school season). Однако массовый выпуск системных плат с поддержкой оперативной памяти стандарта DDR3 начнется только при условии востребованности последней.

3dnews.ru

Память DDR3 поступила в тестовое производство

Тайваньская компания Nanya Technology в лице своего вице-президента Пей-лин Пай (Pei-lin Pai) объявила о своих планах по началу производства модулей памяти типа DDR3 DIMM уже во второй половине текущего года.

Производитель рассчитывает, что уже к 2008 году именно DDR3 составит значительную долю в объёме продаж. В этом году для её производства будет использоваться 90-нм технологический процесс. Далее, когда спрос на такую память обретёт массовый характер, ожидается переход на 70-нм нормы. По предварительным прогнозам это произойдет в 2008 году.

К преимуществам DDR3 перед DDR2 следует отнести более низкое напряжение питания (1,5 В против 1,8 В), 8-битную архитектуру предварительной выборки (4-битная у предшественницы) и наличие встроенных в чипы температурных датчиков.

Оперативная память DDR3 будет иметь рабочий диапазон частот от 800 до 1600 МГц, латентность - от 5 до 10. При её разработке учитываются потребности энергосбережения, поэтому Nanya планирует, что её память будет иметь два энергосберегающих режима - PASR (Partial Array Self Refresh) и ASR (Auto Self Refresh).

В настоящий момент JEDEC еще не утвердила окончательной спецификации DDR3, её принятие должно состояться в конце 2007или начале 2008 года.

На выставке SemiTech Taipei Nanya продемонстрировала 240-контактный модуль небуферируемой памяти DDR3, 1066 МГц, объёмом 1 Гб. Максимальная пропускная способность такой памяти составляет 8,5 Гб/с.

Компания Nanya Technology на выставке SemiTech, состоявшейся в Тайпее, представила новые модули оперативной памяти DDR3, работающие на частоте 1066 МГц и имеющие пропускную способность 8,5 Гбайт/с. 240-контактные планки оснащены 512 мегабитными чипами памяти, общий объём которых составляет 1 Гбайт.

Чипмейкер сообщает, что уже во второй половине текущего года компания начнёт тестовое производство представленных устройств, которые будут поставляться незначительному количеству партнеров компании. О пробном производстве говорит и используемый 90-нм техпроцесс – при старте массового изготовления чипов DDR3-памяти компания планирует перейти на более совершенный 70-нм техпроцесс. Согласно планам Nanya Technology, массовое производство и поставки устройств на рынок стартуют только в 2008 году, а пока официальные представители чипмейкера заявляют, что производство устройств памяти DDR3 в ближайшей перспективе не будет приносить сколь заметной прибыли.

Основные характеристики модулей типа DDR3:
- рабочее напряжение 1,5 В;
- архитектура с 8-битной предвыборкой;
- наличие датчика температуры, размещенного непосредственно на кристаллах чипов памяти;
- работа при выставленных значениях CAS-таймингов от 5 до 10;
- поддержка PASR (Partial Array Self Refresh) и ASR (Auto Self Refresh) режимов работы для снижения энергопотребления;
- чипы памяти заключены в 78-ball FBGA и 96-ball FBGA корпуса.

Общая информация

DDR3 – это новейший этап развития памяти типа DDR SDRAM. Первые модули памяти DDR3 были выпущены компанией Infineon в июле 2005. От модулей DDR2 новые модули отличаются более высокой скоростью передачи данных и меньшим энергопотреблением. Скорость передачи данных устройств памяти DDR3 будет достигать 1600 Мбит в секунду. Напряжение питания снижено до 1.5 вольт. У устройств DDR2 этот показатель составляет 1.8 вольт. Повышенная скорость передачи данных позволяет оптимально сопрягать устройства памяти DDR3 с таким высокопроизводительным процессором, как Intel Core Duo. Этот тандем уже реализован в ноутбуках Sony VAIO серии FE (модель VGN-FE590GC, серия моделей VGN-FE590 CTO). Как результат снижения напряжения питания уменьшается энергопотребление и нагрев компьютера. Это свойство устройств памяти DDR3 окажется особенно ценным при установке их на мобильных ПК. Объемы памяти отдельных компонентов будет составлять от 512 Мбит до 8 Гбит. Первоначально будут выпускаться преимущественно компоненты объемом от 512 Мбит до 1Гбита, затем произойдет переход на компоненты объемом в 2Гбита, 4Гбита и более. Объемы памяти модулей будут составлять от 256 Мб (на основе компонентов объемом 512 Мбит) до 8 Гб (на основе 2-гигабитных компонентов). Модули объемом более 8 Гб специального назначения (например, для применения в серверах) появятся несколько позднее.

	SDR SDRAM	DDR SDRAM	DDR2 SDRAM	Infineon DDR3 SDRAM
Скорость передачи данных (Мбит на вывод)	PC66, PC100 PC133	DDR-200, 266, 333, 400	DDR2-400, 533 667, 800	DDR3-800, 1066 1333, 1600
Напряжение питания	3.3 (+/- 0.3)	2.5 (+/- 0.2)	1.8 (+/- 0.1)	1.5 (+/- 0.075)

Источник: DRAM Memory - Infineon Technologies

Технические характеристики

В рамках весенней сессии Intel Developer Forum компания Samsung продемонстрировала образец памяти нового поколения DDR3-800 в виде одной планки объемом 512 Мб с поддержкой ECC.

Так же Samsung поведала о технических характеристиках нового типа памяти:

1. Напряжение - 1.5 В;
2. Техпроцесс - 0.07 мкм;
3. Преположительно более высокие значение параметра CAS Latency - от 7 до 5;
4. Появится возможность мониторинга температуры памяти (скорее всего данная функция будет реализована в BIOS'е материнской платы в соответствующем разделе);
5. Частоты:
   • 800 МГц;
   • 1066 МГц;
   • 1333 МГц;
   • 1666 МГц;

Скорее всего, такой набор технических характеристик будет способствовать высокому частотному потенциалу модулей, энтузиасты могут спать спокойно. Но высокая частота, как вы знаете, не всегда подразумевает высокую производительность, особенно если такой важный параметр как CAS Latency имеет значения в районе от 7 до 5. Думаю, что особого отрыва в производительности DDR3 от её предшественницы не будет. Зато энергопотребление нового типа памяти уменьшится на 30% по сравнению с DDR2.
Предполагается, что переход к новому стандарту памяти существенно не изменит разводку материнской платы, структуру чипсета и схему питания, это должно послужить более быстрому и безболезненному переходу на новый стандарт.
По заявлению всё той же Samsung новый стандарт памяти появится в 2007 году, и будет поддерживаться существующими на тот момент платформами компании Intel. Ожидается, что к 2009 году новый стандарт памяти будет доминировать на рынке оперативной памяти. Но эти ожидания подкреплены лишь примерными планами развития платформ от Intel , а на сколько вам известно ещё существуют альтернативная и конкурентно способная платформа AMD :). Строить догадки и "сотрясать воздух" не наше дело, так что дальнейшее развитие этой заметки вы придумаете сами :).

Источник: IDF Spring 2006: подробности о DDR3

Применение DDR3

DDR3 от Infineon

Infineon официально объявила о выпуске первых образцов памяти DDR3, это наконец-то положит конец монополии Samsung.
Сейчас образцы микросхем обладают пропускной способностью 800 и 1067 МГц. В дальнейшем Infineon сосредоточится на увеличении этой цифры до 1600 МГц, что позволит удвоить результаты по сравнению даже с ещё не стандартизованной DDR2-800.
Ёмкость микросхем сейчас составляет 512 Мб и 1 Гб. Компания рассматривает возможность увеличения плотности до 8 Гб, конечно с промежуточными 2 и 4 Гб. Размер самих модулей памяти будет от 256 МБ до 8 ГБ для стандартизованных JEDEC, компания допускает изготовление более ёмких модулей на заказ.
К сожалению пока такая память в настольных компьютерах является излишеством, а с наметившимся отказом Intel от архитектуры NetBurst такая пропускная способность вообще может оказаться долгое время не востребованной. Даже сами производители заявляют что первый компьютер с памятью DDR3 появится не ранее конца 2006 года. Хотя более низкое напряжение питания (1.5 В у DDR3 против 1.8 у DDR2) даёт ей некоторое преимущество.

DDR3 SDRAM появится в 2006 году

На прошедшем IDF компания Intel уделила определённое внимание и перспективам развития оперативной памяти. Помимо уже известного факта о том, что в будущем году в сервера и рабочие станции придут FBD (FB DIMM) модули, Intel объявил и о том, что в 2006 году компания намерена создавать платформы с поддержкой DDR3 SDRAM, работающей со скоростью 1066 МГц.
Хотя спецификация DDR3 SDRAM пока не утверждена, над ней ведут совместную работу инженеры Intel и JEDEC, говорить об основных характеристиках памяти этого типа уже возможно. По сути DDR3 представляет собой дальнейшее развитие DDR и DDR2 SDRAM: эта память вновь позволит увеличить частоту и пропускную способность, одновременно снизив напряжение питания.
В то время, как модули DDR2 SDRAM используют напряжение питания 1.8 В, будущие модули DDR3 SDRAM будут использовать напряжение, пониженное до 1.5 В. С целью более эффективного энергосбережения логика DDR3 SDRAM к тому же будет обладать дополнительными функциями управления питанием.
Что касается скоростных характеристик, то переход на чипы DDR3 позволит не только увеличить частоту работы, но и несколько снизить латентности при чтении данных (по предварительным данным, примерно на 15-20%). Память типа DDR3 будет использовать 8-битную предвыборку, в то время как в DDR2 памяти используется 4-битная предвыборка. Это означает, что частота буферов в DDR3 вновь удвоится при том, что сами ячейки памяти будут работать на той же частоте, что и в обычной SDR и DDR памяти. Однако, по традиции, под частотой DDR3 чипов и модулей понимается именно частота буферов. Именно за счет увеличения скорости буферов и расширения шины между ними и ячейками памяти будет достигнут очередной рост быстродействия.

Как видно по планам, графическое представление которых представлено выше, DDR2 SDRAM с частотой 667 и 800 МГц появится в следующем году. К концу года на рынок придёт FB-DIMM, а 2006 год ознаменуется появлением DDR3 памяти со стартовыми частотами 800 и 1066 МГц.

Автор: ТОРМОЗ

Intel начнёт использовать DDR-3 во второй половине 2007 года

Мы уже не раз отмечали, что экспансия памяти типа DDR2-800 начнётся в этом году, а эволюция стандартов памяти в дальнейшем предложит переход на DDR-3. Он будет менее трудным, чем в случае с переходом от DDR-I к DDR-II. Предполагается, что разъёмы DIMM для DDR-3 конструктивно будут такими же, как и для DDR-II. Потребуется лишь модернизация подсистемы питания памяти и замена чипсета, а также адаптация разводки материнской платы.
Долгое время хранивший молчание сайт HKE PC сегодня разродился серией публикаций о тайваньской сессии IDF Spring 2006. Мы узнали, что компания Samsung продемонстрировала образец модуля памяти DDR3-800 объёмом 512 Мб с поддержкой ECC. Кроме того, этот крупный производитель памяти рассказал о планах по переходу на DDR-3.
Итак, компания Intel начнёт использовать память типа DDR-3 для своей платформы примерно во второй половине 2007 года. DDR-3 будет работать при более низком напряжении питания - 1.5 В против 1.8 В у DDR-II. Наряду с более "тонким" 0.07 мкм техпроцессом производства, это позволит снизить потребляемую мощность на 20-30%. Считается, что DDR-3 станет доминирующим типом памяти к первому кварталу 2009 года.
Новый стандарт памяти начнёт свой путь с DDR3-800, продолжит в виде DDR3-1066 и DDR3-1333, и закончит в обличье DDR3-1666. Хотелось бы верить, что такой разброс тактовых частот будет способствовать успешному разгону :).
DDR-3 обзаведётся функцией мониторинга температуры - текущая температура памяти будет отображаться в BIOS материнской платы. Надо полагать, оверклокерам такая функция тоже пригодится.

Автор: Lexagon

IDF 2005: Elpida демонстрирует микросхемы оперативной памяти DDR3

Компания Elpida на проходящем в эти дни в Сан-Франциско (Калифорния, США) Форуме Intel для разработчиков (IDF 2005) продемонстрировала микросхемы оперативной памяти DDR3, которые в перспективе будут использоваться в настольных компьютерах, ноутбуках и серверах.

Представленные чипы произведены по нормам 90-нанометровой технологии и имеют емкость 512 Мбит. Скорость передачи данных, по заявлениям разработчиков, достигает 1333 Мбит/с, что примерно в два раза выше пропускной способности памяти DDR2. При этом работают новые модули при напряжении питания 1,5 В против 1,8 В у DDR2. Добиться высокой производительности при одновременном снижении энергопотребления компании Elpida удалось за счет применения двухзатворных транзисторов и системы автоматической калибровки выходного буфера.
Поставки образцов микросхем памяти DDR3 разработчики планируют начать до конца текущего года. Производство модулей ограниченными партиями будет организовано в следующем году. Кроме того, Elpida намерена выпустить чипы DDR3 емкостью в 1 Гбит и 2 Гбит.
Следует, впрочем, отметить, что массовое внедрение памяти DDR3, по всей видимости, начнется не ранее 2007 года. В настоящее время большим спросом пользуются микросхемы DDR1. Например, южнокорейская компания Samsung лишь недавно объявила о том, что доля производимых ею чипов DDR2 превысила объем производства памяти DDR1.

Владимир Парамонов, 25 августа 2005 года

Elpida начала поставки DDR3 SDRAM самой большой емкости

Elpida Memory, сообщила о начале поставок для компании Intel образцов памяти следующего поколения DDR3 SDRAM: микросхем емкостью 512 Mb, 512-мегабайтовых и 1-гигабайтовых модулей DIMM.
Чипы DDR3 изготовляются Elpida с использованием 90-нанометрового технологического процесса. Модули выполнены в том же форм-факторе, что и современное поколение DIMM DDR2.
Устройства имеют потребление энергии, сниженное на 17% по сравнению с DDR2 и удвоенную (1066 Mbps) скорость передачи данных.
Появление таких образцов позволяет разработчикам систем, подобным Intel, начать проводить оценку новых функций и гигагерцевого уровня быстродействия на всех материнских платах, оснащенных слотами DIMM.
Первые модули DDR3 уже отгружены Intel, инженерные образцы станут доступны заказчикам в 2006 г., а масштабное производство планируется начать при условии наличия достаточного рыночного спроса.

Qimonda начинает поставки DDR3 SO-DIMM

Компания Qimonda, образованная на базе подразделения Infineon, занимавшегося разработкой и производством оперативной памяти, объявила о начале поставок пробных партий DDR3 SO-DIMM (Double Data Rate 3 Small Outline Dual In-line Memory Modules).

Коммерческое внедрение памяти такого типа в ноутбуках ожидается в течение следующего года.

Таким образом, Qimonda стала вторым производителем, представившим свою DDR3 для мобильных ПК, первым в конце прошлого года стала Elpida. В текущем полугодии ожидается, что к указанным компаниям присоединится еще и Nanya.



Первым партнером Qimonda, получившим пробные партии DDR3 SO-DIMM, стала компания ATI. Модули имеют объём 512 Мб, а их рабочая частота составляет 800 Мгц и 1066 МГц. Рабочее напряжение тестовых образцов составляет 1,5 В, что, по заявлению производителя, должно стать еще одним шагом на пути увеличения автономности ноутбуков до продолжительности среднего рабочего дня.

Qimonda рассчитывает, что DDR3 составит 30% от общего объёма памяти, произведенной компанией в 2008 году, а в 2009 - займет лидирующие позиции на рынке. По информации источников, первые DDR3-совместимые платформы Intel следует ожидать во второй половине следующего года, тогда же, очевидно, и возникнет рыночный спрос на новую продукцию Qimonda.